"Моделирование зарождения и роста трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si". Сергей Алексеевич Рудин, ИФП СО РАН, 28.2.2020
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 18-41-540005_р_а.
Состав коллектива
- Рудин Сергей Алексеевич, инженер ИФП СО РАН
- Ненашев Алексей Владимирович, с.н.с. ИФП СО РАН, НГУ, к.ф.-м.н.
- Зиновьев Владимир Анатольевич, н.с. ИФП СО РАН, к.ф.-м.н.
- Новиков Павел Леонидович, с.н.с. ИФН СО РАН, НГУ, к.ф.-м.н.
- Смагина Жанна Викторовна, н.с. ИФН СО РАН, к.ф.-м.н.
- Двуреченский Анатолий Васильевич, зав. лаб., д.ф.-м.н. ИФП СО РАН, НГУ, профессор
Аннотация
Разработан и реализован программно параллельный алгоритм моделирования гетероэпитаксиального роста методом Монте-Карло.
Разработан и реализован программно алгоритм расчета трехмерной Монте-Карло модели гетероэпитаксиального роста Ge на Si с использованием потенциалов Китинга и Терсоффа, учитывающий поверхностные перестройки на гранях наноостровков.