isp_espresso_202510_perevalov.pdf

• Перевалов Тимофей Викторович, к.ф.-м.н., с.н.с. ИФП СО РАН.
• Исламов Дамир Ревинирович, к.ф.-м.н., с.н.с. ИФП СО РАН.

Выполнено моделирование в рамках ТФП в программном пакете Quantum ESPRESSO атомной и электронной структуры собственных дефектов и дефектных комплексов в материалах, перспективных материалов для элементов RRAM, FRAM и фотоники. Задачи исследования включали: определение влияния легирующих примесей (La, Ni) на образование кислородных вакансий и их участие в транспорте заряда в HfO₂; изучение природы дефектов, формирующих мелкие ловушки в SiO_xN_y; определение способности собственных дефектов в MgO участвовать в электронном и дырочном транспорте; моделирование оптических свойств GeSiSn. Показано, что легирование HfO₂ лантаном и никелем может снижать напряжение формовки RRAM и стабилизировать проводящие филамент. Дефекты типа Si–Si в SiO_xN_y формируют мелкие ловушки, ответственные за проводимость в высокоомном и низкоомном состояниях мемристоров. Собственные дефекты MgO обеспечивают как электронную, так и дырочную проводимость плёнок MgO. Для GeSiSn определены закономерности изменения ширины запрещённой зоны и оптического поглощения в ИК-диапазоне при варьировании состава.

Грант РНФ №24-19-00650 «Разработка макроскопической теории транспорта заряда и метода снижения разброса электрофизических параметров мемристоров на основе оксидов гафния и циркония» (2024-2026 годы), руководитель – Исламов Дамир Ревинирович

• T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Impact of lanthanum doping on the electronic structure of oxygen vacancies in hafnium oxide, Com. Mat. Sci. 233, 112708 (2024).
  • DOI: 10.1016/j.commatsci.2023.112708.
  • Импакт-фактор 3.3 (Q1)
• T.В. Перевалов, Д.Р. Исламов, В.А. Володин, Электронная структура и природа мелких ловушек в обогащенном кремнием SiOxNy: ab initio моделирование, Физика твердого тела, том 67, вып. 1 (2025).
  • DOI: 10.61011/FTT.2025.01.59778.258.
  • Импакт-фактор 0.848
• T.V. Perevalov, D.R. Islamov, T.M. Zalyalov, A.A. Gismatulin, V.A. Golyashov, O.E. Tereshchenko, D.V. Gorshkov, V.A. Gritsenko, Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films, Appl. Phys. Lett. 124, 042903 (2024);
  • DOI: 10.1063/5.0180827
  • Импакт-фактор 3.6 (Q1)
• В.А. Тимофеев, И.В. Скворцов, В.И. Машанов, Т.В. Перевалов, Д.Р. Исламов, И.А. Азаров, А.С. Ярошевич, Изучение спектральных зависимостей показателя поглощения слоев GeSn и GeSiSn различного состава, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, Известия Вузов. Физика. T. 67, № 12, 22-30 (2024).
  • DOI: 10.17223/00213411/67/12/3
  • Импакт-фактор 365
• Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, Атомная и электронная структура дефектных комплексов Ni и вакансий кислорода в HfO2 и их влияние на транспорт заряда в мемристорах, ЖЭТФ (2025). – принята к печати