Состав коллектива

  • Новиков Павел Леонидович, к.ф.-м.н, с.н.с. Институт физики полупроводников СО РАН
  • Чэнь Юйцзин, магистрант НГУ
  • У Цзяи, магистрант НГУ

Аннотация

Методом молекулярной динамики изучается морфология поверхности на стенках ямок в структурированной подложке Si(100). Показано, что, вследствие димеризации, на стенках образуются H-образные атомные конфигурации. Моделированием адсорбции атомов Ge на стенках ямок установлено, что эти атомы образуют H-конфигурации в новом атомном слое, при этом атомы димеров в нижележащем атомном слое занимают узловые позиции. Предполагается, что данный элементарный процесс обусловливает микроскопический механизм гетероэпитаксиального роста на стенках ямок.

Источники финансирования

  • Гос.задание ИФП СО РАН № 0242-2021-0011

Публикации

  • У Цзяи, ”Изучение роста гетероэпитаксиальных наноструктур германия на рельефных поверхностях кремния”, Тезисы МНСК 2022 (Физика), 10-20 апреля 2022, НГУ, Новосибирск, с. 212.