"Изучение морфологии стенок ямок на структурированных подложках кремния методом молекулярной динамики". Павел Леонидович Новиков, ИФП СО РАН, 8.12.2022
Состав коллектива
- Новиков Павел Леонидович, к.ф.-м.н, с.н.с. Институт физики полупроводников СО РАН
- Чэнь Юйцзин, магистрант НГУ
- У Цзяи, магистрант НГУ
Аннотация
Методом молекулярной динамики изучается морфология поверхности на стенках ямок в структурированной подложке Si(100). Показано, что, вследствие димеризации, на стенках образуются H-образные атомные конфигурации. Моделированием адсорбции атомов Ge на стенках ямок установлено, что эти атомы образуют H-конфигурации в новом атомном слое, при этом атомы димеров в нижележащем атомном слое занимают узловые позиции. Предполагается, что данный элементарный процесс обусловливает микроскопический механизм гетероэпитаксиального роста на стенках ямок.
Источники финансирования
- Гос.задание ИФП СО РАН № 0242-2021-0011
Публикации
- У Цзяи, ”Изучение роста гетероэпитаксиальных наноструктур германия на рельефных поверхностях кремния”, Тезисы МНСК 2022 (Физика), 10-20 апреля 2022, НГУ, Новосибирск, с. 212.