"Процессы диффузии атомов As в InP". Иван Анатольевич Александров, ИФП СО РАН, 30.12.2022
Состав коллектива
- Александров Иван Анатольевич, к.ф.-м.н., н.с. ИФП СО РАН
Аннотация
Исследована энергетическая структура дефектов в InP и процессы диффузии атомов As в InP. С использованием теории функционала плотности рассчитаны энергии формирования вакансий фосфора в InP и межузельных атомов As в InP, миграционные барьеры и миграционные траектории диффузии As в InP по вакансионному и междоузельному механизмам.
Публикации
- Александров И.А., Дмитриев Д.В., Гаврилова Т.А., Журавлев К.С., Процессы диффузии атомов As в InP. XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород, Россия, стр. 226 (2022)