, , ,

"Энергетическая структура и оптические свойства точечных дефектов в нитриде алюминия". Иван Анатольевич Александров, ИФП СО РАН, 27.12.2018

isp_iaaleksandrov_201812.pdf

Работа поддержана грантом РФФИ 16-32-00765 «Энергетическая структура и оптические свойства точечных дефектов в нитриде алюминия», рук. Александров И.А. (2016-2017)

Состав коллектива

  • Александров Иван Анатольевич, к.ф.-м.н., м.н.с. ИФП СО РАН.

Аннотация

'Работа направлена на определение энергетической структуры точечных дефектов в AlN и идентификацию полос фотолюминесценции и поглощения. Методом теории функционала плотности проведены расчеты энергий формирования, уровней энергии термодинамических переходов между зарядовыми состояниями, конфигурационных диаграмм и энергий оптических переходов для различных точечных дефектов в AlN.'

Список публикаций

  1. Александров И.А., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Журавлев К.С., Природа оранжевой полосы фотолюминесценции в AlN, ХIII Российская конференция по физике полупроводников, 02-06 октября 2017, Екатеринбург, стр. 294 (2017).
  2. Ivan A. Aleksandrov, Konstantin S. Zhuravlev, Vladimir G. Mansurov, Timur V. Malin, Influence of tunneling interaction with defects on the recombination dynamics in GaN/AlN quantum dots, 12th International Conference on Nitride Semiconductors, July 24-28, 2017, Strasbourg, France, p. E02.10 (2017).
  3. I.A. Aleksandrov, K.S. Zhuravlev, Energy structure and radiative lifetimes of InxGa1-xN/AlN quantum dots, Superlattices and Microstructures, 113, 373-378 (2017). (Импакт-фактор: 2,099) doi:10.1016/j.spmi.2017.11.015
  4. Ivan A. Aleksandrov, Konstantin S. Zhuravlev, Model of carrier tunneling between GaN/AlN quantum dots and defects, 34th International conference on physics of semiconductors (ICPS-2018), 24 July-3 August 2018, Montpellier, France, P3_096 (2018).
  5. Ivan A. Aleksandrov, Timur V. Malin, Konstantin S. Zhuravlev, Simon B. Erenburg, Yahor V. Lebiadok, Intermixing at GaN/AlN interfaces in GaN/AlN multiple quantum wells, 34th International conference on physics of semiconductors (ICPS-2018), 24 July-3 August 2018, Montpellier, France, P1_029 (2018).
  6. Александров И.А., Малин Т.В., Журавлев К.С., Pecz B., Эренбург С.Б., Лебедок Е.В., Исследование межфазной диффузии в структурах с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2018) 24 – 28 сентября 2018 г., Минск, Беларусь, Том 2, стр 240. (2018).