isp_vazinoviev_202406.pdf

• Зиновьев Владимир Анатольевич, с.н.с. ИФП СО РАН, к.ф.-м.н.
• Рудин Сергей Алексеевич, м.н.с. ИФП СО РАН
• Смагина Жанна Викторовна, с.н.с. ИФН СО РАН, к.ф.-м.н.
• Шкляев Александр Андреевич, в.н.с. НГУ, д.ф.-м.н.
• Армбристер Владислав Андреевич, инженер ИФП СО РАН

С помощью программного комплекса COMSOL Multiphysics были проведены расчёты распределения компонент ближнего и дальнего поля, а так же дисперсионные зависимости излучательной способности собственных мод для структур с линейными периодическими цепочками Si нанодисков со встроенными в них GeSi квантовыми точками. Результаты теоретических расчётов были сопоставлены данными экспериментальных измерений, проведённых методом микро – фотолюминесценции. Сравнительный анализ позволил заключить, что формирование линейных цепочек из дисковых резонаторов на поверхности эпитаксиальной структуры с квантовыми точками приводит к усилению интенсивности и направленности излучения квантовых точек. В спектрах фотолюминесценции исследованных структур обнаружены узкие пики, связанные с высокодобротными коллективными модами в линейных цепочках. Теоретический анализ зависимости добротности мод от параметров линейных цепочек показал, что при определенных параметрах могут реализоваться состояния близкие по природе к симметрийно-защищенным связанным состояниям в континууме.

• Грант РНФ № 21-72-20184 «Диэлектрические микро- и нанорезонаторы с контролируемым позиционированием излучателей», рук. Зиновьев Владимир Анатольевич, 2021-2024 гг.

• В.А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, А.Ф. Зиновьева, Е. Е. Родякина, А. В. Кацюба, К. Н. Астанкова, К. В. Барышникова, М. И. Петров, М.С. Михайловский, В. А. Вербус, М. В. Степихова, А. В. Новиков. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si нанодисков со встроенными GeSi квантовыми точками. Труды XXVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.) Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. с. 669 -670. ISBN 978-5-8048-0124-4.
• В.А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, А.Ф. Зиновьева, Е. Е. Родякина, А. В. Кацюба, К. Н. Астанкова, К. В. Барышникова, М. И. Петров, М.С. Михайловский, В. А. Вербус, М. В. Степихова, А. В. Новиков. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si нанодисков со встроенными GeSi квантовыми точками. Журнал «Физика и техника полупроводников» №4 (2024) (принята к публикации).