"Атомная структура поверхности Si(331)-12x1". Руслан Анатольевич Жачук, ИФП СО РАН, 6.4.2018
Грант РФФИ N14-02-00181 «Рост, структура и свойства функциональных германий-кремниевых наноструктур на чистых и покрытых сурфактантами поверхностях Si(111)». Руководитель: Жачук Руслан Анатольевич, ИФП СО РАН. Срок действия: 2014-2016.
Состав коллектива
- Жачук Руслан Анатольевич, ИФП СО РАН, с. н. с., к.ф.-м.н. (расчет)
- Тийс Сергей Александрович, ИФП СО РАН, с. н. с., к.ф.-м.н. (эксперимент)
Аннотация
«С помощью методов сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и расчетов на основе теории функционала плотности (ТФП) исследована атомная структура высокоиндексной поверхности Si(331)-12×1. Разработана структурная модель поверхности Si(331), включающая в себя структурный элемент, состоящий из шести пентагонов кремния и пентамера с межузельным атомом. Продемонстрировано, что энергия поверхности Si(331) в рамках предложенной модели существенно ниже, чем в моделях, предложенных ранее. Показано, что в рамках предложенной модели поверхности Si(331) возможны несколько атомных конфигураций, отличающихся изгибами элементов реконструкции.»
Иллюстрации
Публикации
- Ruslan Zhachuk and Sergey Teys, “Pentagons in the Si(331)-(12x1) surface reconstruction”, Physical Review B (Impact Factor: 3.718), 95, 041412(R) (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.041412
- Р. Жачук, Ж. Кутиньо, “Комментарий к статье “Различные СТМ-изображения сверхструктуры чистой грани Si(133)-6 × 2” (Письма в ЖЭТФ 105(8), 469 (2017))”, Письма в ЖЭТФ (Impact Factor: 1.235), том 106, вып. 5, с. 322 – 323. DOI: 10.7868/S0370274X1717012X