Состав коллектива

  • научный сотрудник Руслан Анатольевич Жачук (моделирование, ТФП),
  • старший научный сотрудник Сергей Александрович Тийс (эксперимент, СТМ)

Постановка задачи

'Тройные ступени на поверхности Si(111) широко используются для роста упорядоченно расположенных наноструктур однородных размеров. В проведенной работе мы использовали регулярную ступенчатую поверхность Si(7 7 10) в качестве модельной системы для изучения тройных ступеней с помощью сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и расчетов на основе теории функционала плотности (ТФП) (рис. 1a, b). В случае роста на ступенчатой поверхности регулярная ступенчатая структура определяет как положение, так и размер растущих нанопроволок и наноточек. Несмотря на то, что тройные ступени являются важной частью ландшафта поверхностей Si(111), их атомная структура до сих пор не является твердо установленной. Целью работы является установление структуры элементов реконструкции тройных ступеней и причин формирования их определенных изгибов.'

Публикации

  • R. Zhachuk, S. Teys, J. Coutinho, M. J. Rayson, and P. R. Briddon, “Static and dynamic buckling of reconstructions at triple steps on Si(111) surfaces” Applied Physics Letters (Impact Factor: 3.52). 10/2014; 105(10):171602-14904. DOI: 10.1063/1.4900783.
  • Р.А. Жачук, Ж. Кутиньо, М.Ж. Рэйсон, П.Р. Бриддон, «Изгиб элементов реконструкции краев тройных ступеней на вицинальных поверхностях (111) Si», ЖЭТФ (Impact Factor: 0.931), 147, 729 (2015). DOI: 10.7868/S0044451015040072

Иллюстрации

1 a) СТМ изображение чистой поверхности Si(7 7 10) с тройными ступенями.
b) Край тройной ступени на поверхности Si(7 7 10). Пунктирной линией обведена ячейка моделирования.
c) Атомная модель тройной ступени. Элементы реконструкции показаны без изгибов. Красным/синим цветами обозначены атомы, являющиеся акцепторами/донорами электронов в основном состоянии поверхности.
2 Экспериментальные изображения СТМ края тройной ступени и контуры ЛПЭС для основного состояния поверхности.