isp_avnenashev_sarudin_201203.pdf

• Рудин Сергей Алексеевич
• Ненашев Алексей Владимирович
• Смагина Жанна Викторовна

'Моделирование эпитаксиального роста Ge на Si(100) с учетом упругой деформации. В основе модели лежит трехмерная кристаллическая решетка типа алмаза с периодическими граничными условиями. В качестве узлов решетки служат атомы Si или Ge. Рост Ge из молекулярного пучка рассматривается на основе модели, разработанной Vvedenskii et al. [1] и Hunson et al. [2] для численного моделирования методом Монте-Карло кристаллов с решеткой типа алмаза. Согласно этой модели, эволюция системы Ge/Si состоит из последовательности элементарных процессов поверхностной диффузии и осаждения атомов. … С целью выполнения принципа детального равновесия введены отклонения атома от его равновесного положения, основанные на распределении Больцмана. При наличии междоузельных атомов Ge в решетке, они вызывают смещение окружающих атомов от их равновесного положения, которое в нашей модели также описывается потенциалом Китинга.'

• Ж. В. Смагина, П.Л. Новиков, А.В. Ненашев, С.А. Рудин, В.А. Зиновьев, С.А. Тийс, А.В. Мудрый, А.В. Двуреченский. «Процессы формирования квантовых точек в многослойных Ge/Si структурах при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков» - X Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 19-23 сентября, с. 39, 2011.