"Моделирование димеризации атомов на поверхности структурированных подложек Si". Павел Леонидович Новиков, ИФП СО РАН, НГУ, 11.12.2024
Состав коллектива
- Новиков Павел Леонидович, к. ф.-м. н., доцент НГУ, с.н.с. ИФП СО РАН
- Павский Кирилл Валеьевич, д. т. н., зав. лаб. ИФП СО РАН, профессор кафедры вычислительных систем СибГУТИ
- Цынк Павел Николаевич, практикант ИФП СО РАН, студент НГУ
Аннотация
Методом молекулярной динамики проведено моделирование процесса димеризации атомов на стенках ямок в структурированных подложках Si. Обнаружено, что микроскопический механизм эпитаксиального роста Ge на структурированных подложках Si обусловлен образованием H-образных атомных конфигураций, включающих 2 атома димера и 4 атома в подлежащем атомном слое.
Финансовая поддержка
Работа выполнена в рамках Государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (тема № FWGW-2022-0011).
Публикации
Статья находится на рецензировании в «Известиях ВУЗов. Физика».