isp_iaaleksandrov_202412_1.pdf

• Александров Иван Анатольевич, к.ф.-м.н., н.с. ИФП СО РАН
• Журавлев Константин Сергеевич, д.ф.-м.н., зав. лаб. ИФП СО РАН

Исследованы процессы диффузии атомов As и P в InP и InAs, атомная и энергетическая структура вакансий пятой группы и междоузельных атомов P и As в InP и InAs с использованием теории функционала плотности. Определены основные типы миграционных переходов, рассчитаны наиболее энергетически выгодные миграционные траектории и энергетические барьеры миграционных переходов для диффузии As и P в InP и InAs посредством вакансий и междоузельных атомов. В случае диффузии As и P в InP и InAs через междоузельные атомы реализуется непрямой междоузельный механизм. Междоузельные атомы имеют более высокие энергии формирования по сравнению с энергиями формирования вакансий, при этом полные энергии активации диффузии сравнимы для вакансионного и междоузельного механизмов.

• Работа выполнена в рамках государственного задания ИФП СО РАН № FWGW-2022-0005

• I. A. Aleksandrov, K. S. Zhuravlev, Migration barriers for diffusion of As and P atoms in InP and InAs via vacancies and interstitial atoms, Acta Materialia 270, 119854 (2024). (IF 8.3)
  • DOI: 10.1016/j.actamat.2024.119854
  • https://arxiv.org/pdf/2404.01607