isp_espresso_201203_perevalov.pdf

• Перевалов Тимофей Викторович
• Гриценко Владимир Алексеевич
• Шапошников Александр Владимирович

В настоящее время на смену оксиду кремния SiO₂, который является ключевым диэлектриком микроэлектроники, приходят диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью (HfO₂, Al₂O₃, TiO₂, Ta₂O₅). Эта тенденция вызвана тем что, традиционная кремниевая микроэлектроника приближается к пределу миниатюризации, а новые технологии требуют большей плотности упаковки элементов и более высокого быстродействия. Прежде всего, применение high-k диэлектриков открывает возможности дальнейшего наращивания информационной емкости и увеличения быстродействия Металл-Диэлектрик-Полупроводник приборов. Другое применение high-k диэлектриков связано с использованием их в качестве изолятора в запоминающем конденсаторе статических и динамических оперативных запоминающих устройств (ОЗУ). Третье применение high-k диэлектриков связано с использованием их в качестве блокирующего слоя в кремниевых флэш элементах памяти. В этой связи свойства high-k диэлектриков активно изучаются в настоящее время.

• T. V. Perevalov, M.V. Ivanov, V. A. Gritsenko, Electronic and optical properties of hafnia polymorphs, Microelectronic Engineering 88, p. 1475-1477, 2011.