sfu_askholtobina_210819.pdf

• Холтобина Анастасия Сергеевна, аспирант Сибирского федерального университета

Посредством квантово-химического моделирования методом DFT в программном пакете VASP было проведено теоретическое исследование структуры и свойств композитов на основе ZnO и VP. Выяснено, что энергии образования нестехиометричных конфигураций фосфида ванадия от монослоя до трёх флуктуируют в случае Н конфигурации и увеличиваются в случае T конфигурации. Более выгодно образование T конфигурации. Как и в случае использования стехиометричных структур, расположение VP относительно ZnO с наиболее низкой энергией остаётся неизменным (P_top_Zn P_hex). Согласно анализу плотности состояний для нестехиометричных конфигураций VP виден больший вклад оксида цинка в высшие заполненые уровни валентной зоны, и фосфида ванадия в низсшие по энергии зоны проводимости, а также проводниковые свойства композита во всех случаях. Взаимодействие между частями композита приводит к уширению и размывке пиков и для ZnO, и для VP.