Исследование процессов роста эпитаксиальных пленок силицидов железа на поверхности кремния (100) и (111) проводилось с использованием методов молекулярной динамики и теории функционала плотности. Детально изучалось влияние температуры кремниевой подложки, угла налетающих атомов железа и кремния и частота их столкновения с подложкой (частота напыления) на структуру и стехиометрический состав формирующихся силицидов железа. Было определено, что в результате роста кристаллической структуры силицида железа происходит значительная диффузия атомов подложки в формирующееся bcc ядро, с увеличением температуры подложки данная тенденция увеличивается, и достигает ~12% от общего количества bcc атомов в структуре. Поверхность кремниевой подложки в значительной мере влияет на формирование структуры в напыленном слое силицида железа. На поверхности 100 формирование структуры bcc проходит менее активно, а при низких температурах 26 °C и 300°C кристаллическая фаза силицида не формируется совсем. Однако при увеличении температуры и уменьшении скорости напыления процессы формирования кристаллической структуры проходят более активнее в случаях как с поверхностью (100), так и с поверхностью (111). Причем уменьшение скорости напыления идентично увеличению температуры. Было показано, что образование структурированной фазы силицида железа в диффузионном слое приводит к прекращению взаимной диффузии атомов железа и кремния.