Оксид гафния является перспективным материалом для использования в качестве активной среды резистивной и сегнетоэлектрической памяти. Известно, что легирование оксида гафния металлами третьей группы приводит к улучшению характеристик ячеек памяти. Одной из наиболее эффективных легирующих примесей является лантан (La). В настоящее время атомная и электронная структура HfO2, легированного La (HfO2:La), мало изучена. Целью настоящей работы являлось исследование атомной и электронной структуры HfO2:La методом численного моделирования из первых принципов. В настоящем исследовании были найдены оптимальные структуры of- (орторомбической сегнетоэлектрической фазы), m- (моноклинной), oI-, oII- (центросимметричных орторомбических), t- (тетрагональной) фаз HfO2:La с минимальной полной энергией. Установлено, что La не формирует дефектные уровни в запрещённой зоне HfO2:La. Построена диаграмма фазовой стабильности для перечисленных кристаллических модификаций HfO2:La с различной концентрацией La. Установлено, что of-HfO2 не стабилизируется в виде объёмного кристалла за счёт внешнего давления и легирования лантаном.