С помощью программного комплекса COMSOL Multiphysics были проведены расчёты распределения компонент ближнего и дальнего поля, а так же дисперсионные зависимости излучательной способности собственных мод для структур с линейными периодическими цепочками Si нанодисков со встроенными в них GeSi квантовыми точками. Результаты теоретических расчётов были сопоставлены данными экспериментальных измерений, проведённых методом микро – фотолюминесценции. Сравнительный анализ позволил заключить, что формирование линейных цепочек из дисковых резонаторов на поверхности эпитаксиальной структуры с квантовыми точками приводит к усилению интенсивности и направленности излучения квантовых точек. В спектрах фотолюминесценции исследованных структур обнаружены узкие пики, связанные с высокодобротными коллективными модами в линейных цепочках. Теоретический анализ зависимости добротности мод от параметров линейных цепочек показал, что при определенных параметрах могут реализоваться состояния близкие по природе к симметрийно-защищенным связанным состояниям в континууме.