niic_vaalexeev_202404.pdf

• Алексеев Виктор Александрович, инженер 1 категории, аспирант лаборатории физикохимии наноматериалов ИНХ СО РАН
• Булушева Любовь Геннадьевна, д.х.н., г.н.с. лаборатории физикохимии наноматериалов ИНХ СО РАН, научный руководитель

Допирование MoS2 является доступным способом модификации функциональных свойств. Среди прочих элементов, атомы Nb и N способны эффективно встраиваться в решетку MoS2, являются эффективными p-допантами. В рамках работы были изучены оптимальные относительные распределения этих гетероатомов в решетке MoS2 с использованием квантово-химических расчетов. Модельные структуры MoS2 с термодинамически выгодным распределением гетероатомов изучались в котексте электрохимических приложений: рассчитаны энергии связи Li с различными центрами на поверхности допированного MoS2, проведены первопринципные молекулярно-динамические симуляции для допированного MoS2 при интеркаляции лития в большой концентрации.

• Грант РНФ №23-73-00048 «Синтез, электронная структура и функциональные свойства наноматериалов на основе MoS2 и WS2», рук. д.х.н. Булушева Любовь Геннадьевна, 2023-2026

• Алексеев В.А., Булушева Л.Г. Квантово-химическое исследование влияния допирования дисульфида молибдена (MoS2) атомами азота на электрохимические свойства В сборнике Термодинамика и материаловедение. Тезисы докладов XV Симпозиума с международным участием, 3–7 июля 2023 года.–Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН.,2023.– C.283.– ISBN9785901688533. DOI: 10.26902/THERM_2023_270
• Алексеев В.А. , Булушева Л.Г. Квантово-химическое исследование влияния допирования дисульфида молибдена (MoS2) атомами N и Nb на электрохимические свойства В сборнике Четвертая российская конференция «ГРАФЕН: МОЛЕКУЛА И 2D-КРИСТАЛЛ».–ИНХ СО РАН.,2023.– C.136.– ISBN9785901688526. DOI: 10.26902/Graphene-23-134