, , ,

"Динамика адатомов Sn вблизи ступени на поверхности Si(111)-√3×√3-Sn". Руслан Анатольевич Жачук, ИФП СО РАН, 5.8.2023

isp_siesta_202308_report.pdf

Состав коллектива

Аннотация

Изучены атомная структура ступеней на поверхности Si(111)-√3×√3-Sn и динамика адатомов Sn вблизи них. Работа выполнена с помощью расчетов на основе теории функционала плотности (ТФП) и сравнения полученных данных с экспериментальными результатами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Разработана атомная модель ступени, состоящая из цепочек атомов Sn вдоль краев ступеней. Эта структура приводит к формированию двойных потенциальных ям вблизи ступеней, действующих как ловушки для диффундирующих атомов Sn. Найдено, что атомы Sn, флуктуирующие в двойных потенциальных ямах, приводят к флуктуирующему туннельному току СТМ в этих областях.

Грантовая поддержка

Иллюстрации

(а) Поверхность потенциальной энергии для атома Sn на ступенчатой поверхности Si(111)-√3×√3-Sn; атомная модель ступени наложена на изображение сверху. Светлые (темные) участки соответствуют областям с низкой (высокой) энергией. Белые маленькие кружки - атомы Si; желтые кружки - атомы Sn. A1 и A2 - адатомы Sn на краях ступеней; R1 и R2 - рест-атомы Si на верхней и нижней террасах (111). Ячейки структуры Si(111)-√3×√3-Sn выделены сплошной линией.

(б) Атомные конфигурации для локальных минимумов вблизи рест-атома R2. Бирюзовые и синие кружки - атомы Si нижней и верхней террас (111); желтые кружки - адатомы A1 олова на краю ступени; черные кружки – дополнительный адсорбированный атом Sn (Si). Пунктиром показано положение адсорбированного атома во втором локальном минимуме двойной потенциальной ямы. Маленькой стрелкой на схеме отмечена слабая связь между адсорбированным атомом и атомом на нижней террасе Si (111).

Публикации