isp_sarudin_202302.pdf

• Рудин Сергей Алексеевич, м.н.с ИФП СО РАН
• Зиновьев Владимир Анатольевич, c.н.с. ИФП СО РАН, к.ф.-м.н.
• Новиков Павел Леонидович, с.н.с. ИФП СО РАН, НГУ, к.ф.-м.н.
• Смагина Жанна Викторовна, c.н.с. ИФП СО РАН, к.ф.-м.н.
• Двуреченский Анатолий Васильевич, зав. лаб., д.ф.-м.н. ИФП СО РАН, НГУ, профессор

С помощью Монте-Карло моделирования исследованы процессы зарождения и последующего эпитаксиального роста групп трехмерных наноостровков Ge, формируемых на структурированной поверхности Si(100) в виде массива ямок воронкообразной формы в узлах квадратной решетки. Количество и расположение наноостровков Ge зависит от периода между ямками и может быть объяснено с точки зрения конкуренции процесса зарождения островков Ge под действием упругих напряжений и потоком материала в ямки, которые служат стоками для атомов Ge. В случае близко расположенных ямок зарождение островков не наблюдается, поскольку увеличивается эффективность стока в ямки.

• Грант РНФ № 21-72-20184 «Диэлектрические микро- и нанорезонаторы с контролируемым позиционированием излучателей», рук. Зиновьев Владимир Анатольевич, 2021-2024 гг.

• S.A. Rudin, V.A. Zinovyev, Zh.V. Smagina, P.L. Novikov, A.V. Nenashev, K.V. Pavsky. «Groups of Ge nanoislands grown outside pits on pit-patterned Si substrates». - Journal of Crystal Growth, v. 593, p. 126763 (2022).
• Рудин С.А., Зиновьев В.А., Смагина Ж.В., Новиков П.Л., Ненашев А.В., Павский К.В., Двуреченский А.В. «Зарождение и рост квантовых точек Ge на структурированных подложках Si». - XV Российская конференция по физике полупроводников, с. 87 (2022).