, , , , ,

"Исследование зарождения и роста трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)". Сергей Алексеевич Рудин, ИФП СО РАН, 17.3.2023

isp_sarudin_202302.pdf

Состав коллектива

Аннотация

С помощью Монте-Карло моделирования исследованы процессы зарождения и последующего эпитаксиального роста групп трехмерных наноостровков Ge, формируемых на структурированной поверхности Si(100) в виде массива ямок воронкообразной формы в узлах квадратной решетки. Количество и расположение наноостровков Ge зависит от периода между ямками и может быть объяснено с точки зрения конкуренции процесса зарождения островков Ge под действием упругих напряжений и потоком материала в ямки, которые служат стоками для атомов Ge. В случае близко расположенных ямок зарождение островков не наблюдается, поскольку увеличивается эффективность стока в ямки.

Грантовая поддержка

Публикации