isp_sarudin_202203.pdf

• Рудин Сергей Алексеевич, инженер ИФП СО РАН, rudin@isp.nsc.ru
• Ненашев Алексей Владимирович, с.н.с. ИФП СО РАН, НГУ, к.ф.-м.н.
• Зиновьев Владимир Анатольевич, c.н.с. ИФП СО РАН, к.ф.-м.н.
• Новиков Павел Леонидович, с.н.с. ИФП СО РАН, НГУ, к.ф.-м.н.
• Смагина Жанна Викторовна, c.н.с. ИФП СО РАН, к.ф.-м.н.
• Двуреченский Анатолий Васильевич, зав. лаб., д.ф.-м.н. ИФП СО РАН, НГУ, профессор

Методом Монте-Карло был исследован процесс зарождения и роста упорядоченных групп наноостровков Ge на подложках Si (100) со встроенным источником упругих деформаций в форме GeSi диска, закрытого слоем Si. В зависимости от толщины закрывающего слоя Si меняются параметры Ge островков и групп, состоящих из них: чем толще закрывающий слой Si, тем меньше островки Ge, меньше их количество в группе и меньше расстояние между ними. Механизм образования таких конфигураций и их изменение в зависимости от толщины закрывающего слоя Si объясняется с точки зрения распределения упругой деформации.

• Госзадание FWGW-2021-0011

• S.A. Rudin, V.A. Zinovyev, Zh.V. Smagina, P.L. Novikov, A.A. Shklyaev, and A.V. Dvurechenskii. «Tuning the configuration of quantum dot molecules grown on stacked multilayers of heteroepitaxial islands». – J. Appl. Phys., 131, 035302 (2022).