Проведено теоретическое исследование роста упорядоченных групп GeSi наноостровков (квантовых точек) на структурированных подложках Si(100), представляющих собой квадратную решетку из ямок округлой формы с различным углом наклона боковых стенок и периодом между ямками. Результаты моделирования показали, что в зависимости от периода между ямками меняется характер распределения островков: от полного их отсутствия для малых периодов до зарождения островков как вблизи ямок, так и между ними для больших периодов. С увеличением угла наклона боковых стенок ямки зарождение островков вблизи ямок происходит на более поздних стадиях осаждения Ge.