Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 18-41-540005_р_а.
Разработан и реализован программно параллельный алгоритм моделирования гетероэпитаксиального роста методом Монте-Карло.
Разработан и реализован программно алгоритм расчета трехмерной Монте-Карло модели гетероэпитаксиального роста Ge на Si с использованием потенциалов Китинга и Терсоффа, учитывающий поверхностные перестройки на гранях наноостровков.