, , , , ,

"Моделирование зарождения и роста трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si". Сергей Алексеевич Рудин, ИФП СО РАН, 28.2.2020

isp_sarudin_202002.pdf

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ и Правительства Новосибирской области в рамках научного проекта № 18-41-540005_р_а.

Состав коллектива

Аннотация

Разработан и реализован программно параллельный алгоритм моделирования гетероэпитаксиального роста методом Монте-Карло.

Разработан и реализован программно алгоритм расчета трехмерной Монте-Карло модели гетероэпитаксиального роста Ge на Si с использованием потенциалов Китинга и Терсоффа, учитывающий поверхностные перестройки на гранях наноостровков.