isp_sarudin_201812.pdf

Исследование выполнено за счет средств Российского научного фонда (грант 14-12-00931 Π).

• Рудин Сергей Алексеевич, инженер ИФП СО РАН
• Ненашев Алексей Владимирович, с.н.с. ИФП СО РАН, НГУ, к.ф.-м.н.
• Зиновьев Владимир Анатольевич, н.с. ИФП СО РАН, к.ф.-м.н.
• Новиков Павел Леонидович, с.н.с. ИФН СО РАН, НГУ, к.ф.-м.н.
• Смагина Жанна Викторовна, н.с. ИФН СО РАН, к.ф.-м.н.
• Двуреченский Анатолий Васильевич, зав. лаб., д.ф.-м.н. ИФП СО РАН, НГУ, профессор

'Проведено теоретическое исследование зарождения и роста трехмерных островков Ge, формируемых на структурированной поверхности Si(100) в виде массива ямок округлой формы. Результаты моделирования роста показали, что для ямок с острым дном наиболее релаксированная область находится по центру дна ямки, где и происходит зарождение островков. Тогда как для ямок с плоским дном наиболее релаксированные области в процессе осаждения Ge смещаются со дна ямок к их краям, что приводит к зарождению островков по их периметру.'

• С.А. Рудин, Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, П.Л. Новиков, А.В. Ненашев, Е.Е. Родякина, А.В. Двуреченский. Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100). ФТП, т. 52, № 11, с. 1346-1350, (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46596.18.
• Zh.V. Smagina, V.A.Zinovyev, S.A. Rudin, P.L. Novikov, E.E. Rodyakina, and A.V. Dvurechenskii. "Nucleation sites of Ge nanoislands grown on pit-patterned Si substrate prepared by electron-beam lithography", J.Appl.Phys., 123, 165302 (2018). DOI: 10.1063/1.5009154.