isp_sarudin_201406.pdf

• Рудин Сергей Алексеевич
• Ненашев Алексей Владимирович
• Зиновьев Владимир Анатольевич
• Поляков Артем Юрьевич
• Смагина Жанна Викторовна

'Разработка теоретических подходов к моделированию гетероэпитаксиального роста с учетом деформации из-за несоответствия параметров кристаллических решеток осаждаемого материала и материала подложки.'

• С.А. Рудин, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, А.Ю. Поляков, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский, ”Трехмерная модель гетероэпитаксиального роста германия на кремнии,” Автометрия, 49(5), 50-56 (2013). http://link.springer.com/article/10.3103/S8756699013050063
• А.В. Двуреченский, А.А. Блошкин, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, П.Л. Новиков, А.Ю. Поляков, С.А. Рудин, Ж.В. Смагина, А.И. Якимов. ”Формирование и электронные свойства квантовых точек Ge в матрице Si– моделирование на супер-ЭВМ,” Труды 1-й Российско-Белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники», Нижний Новгород, 11-14 сентября, т.1, с.18-19 (2013).
• A.V. Dvurechenskii, Zh.V. Smagina, N.P.Stepina, A.V. Nenashev, P.L. Novikov, S.A. Rudin. ”Nucleation and epitaxial growth of Ge nanocrystals on pattern Si surface with ion irradiation,” 11th Int. Conf. «E-MRS 2012 Fall Meeting», Warsaw, September 17-21, H-VII-4 (2012).
• Zh.V.Smagina, A.V.Dvurechenskii, P.L.Novikov, A.V.Nenashev, N.P.Stepina, S.A.Rudin. ”Epitaxial growth of Ge nanocrystals on pattern Si surface with ion irradiation,” IV Всероссийская конференция Физические и физико-химические основы ионной имплантации и Международная молодёжная конференция Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, Новосибирск, 23-26 октября, с. 59 (2012).
• А.В. Ненашев, Ж.В. Смагина, С.А. Рудин, А.В. Двуреченский. ”Эпитаксиальный рост наноостровков Ge/Si в условиях ионного облучения,” Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектронника», Нижний Новгород, Март 11-15, с. 538-539 (2013).
• S.A. Rudin, A.V.Nenashev, A.Y. Polyakov, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii. ”3D Monte Carlo Simulation of strained heteroepitaxial growth of Ge on Si(100),” The 7th Russian-French Seminar on Nanosciences and Nanotechnologies. Novosibirsk, 3-6 Jule, p. 70 (2013).
• Zh. Smagina, A. Dvurechenskii, A. Nenashev, P. Novikov, S. Rudin. N. Stepina, N. Filippov. ”Nucleation and growth of Ge nanoislands on patterned Si substrates prepared by ion-irradiation,” Abstract Book. 10th Int. Conf. «Nanosciences & Nanotechnologies (NN13)», Thessaloniki, Greece, July 6-13, p. 107 (2013).
• S. A. Rudin., A. V. Nenashev, V. A. Zinoviev, A. Y. Polyakov, Zh. V. Smagina and A. V. Dvurechenskii. ”Three-dimensional model of heteroepitaxial growth of germanium on silicon,” Abstract Book. 8th Int. Conf. «Quantum Dots 2014 (QD 2014)», Pisa, Italy, May 11-16, p. 91 (2014).