Методом молекулярной динамики проведено моделирование процесса димеризации атомов на стенках ямок в структурированных подложках Si. Обнаружено, что микроскопический механизм эпитаксиального роста Ge на структурированных подложках Si обусловлен образованием H-образных атомных конфигураций, включающих 2 атома димера и 4 атома в подлежащем атомном слое.
Работа выполнена в рамках Государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (тема № FWGW-2022-0011).
Статья находится на рецензировании в «Известиях ВУЗов. Физика».