Методом молекулярной динамики изучается морфология поверхности на стенках ямок в структурированной подложке Si(100). Показано, что, вследствие димеризации, на стенках образуются H-образные атомные конфигурации. Моделированием адсорбции атомов Ge на стенках ямок установлено, что эти атомы образуют H-конфигурации в новом атомном слое, при этом атомы димеров в нижележащем атомном слое занимают узловые позиции. Предполагается, что данный элементарный процесс обусловливает микроскопический механизм гетероэпитаксиального роста на стенках ямок.