, , , , ,

"Расчет методом молекулярной динамики упругих деформаций в структурированных подложках Si, возникающих под действием междоузельных атомов Ge, введенных ионным облучением". Павел Леонидович Новиков, ИФП СО РАН, 31.12.2019

isp_plnovikov_201912.pdf

Работа поддержана:

Состав коллектива

Аннотация

Методом молекулярной динамики (МД) исследованы свойства структурированных подложек кремния, полученных с применением облучения ионами германия с энергией 30-70 кэВ. Изучен эффект кластеров междоузлий германия, введенных ионныи облучением, на распределение упругих деформаций в ямках и их окрестностях. Показано, что действие междоузельных кластеров может приводить как к сжатию, так и к растяжению. Сжатие имеет место в ямках с большим углом наклона стенок, растяжение — в ямках с пологими стенками. «Пограничным» является наклон стенок, соответствующий их ориентации (223). Расчет деформаций проделан также для междоузлий кремния. Результаты расчетов и зависимость деформаций от угла наклона стенок качественно схожи с полученными для междоузлий германия. Исходя из результатов моделирования, сделаны предположения о вероятных местах зарождения наоостровков при гетероэпитаксиальном росте германия на структурированных подложках кремния, полученных с использованием ионного облучения.

Публикации