isp_plnovikov_201204.pdf

• Новиков Павел Леонидович
• Смагина Жанна Викторовна
• Двуреченский Анатолий Васильевич

'В число основных задач работы входило определение микроскопического механизма диффузии на структурированной поверхности; выявление особенностей перехода от двумерно-слоевого роста к трехмерному, обусловленных наличием ямок; нахождение оптимальных условий для проявления эффекта пространственного упорядочения. Для определения механизма поверхностной диффузии планировалось методом молекулярной динамики (МД) определить потенциальный рельеф (энергетическую поверхность) структурированной поверхности. Для выявления особенностей перехода от двумерно-слоевого роста к трехмерному при гетероэпитаксии на структурированной поверхности методом молекулярной динамики была поставленв задача определить энергию гетеросистемы в зависимости от морфологии и размера трехмерных островков, их расположения относительно центров ямок , химического состава, при различных температурах. При этом требовалось учитывать структуру атомных ступеней на плоских гранях островков и на стенках ямок. В рамках данного подхода предполагалось установить места вероятного зарождения островка, критический размер и форма островка, оптимальные геометрические характеристики ямки для усиления эффекта селективного роста.'

1. P. Novikov, Zh. Smagina, D. Vlasov, A. Deryabin, A. Kozhukhov, A. Dvurechensky, "Space arrangement of Ge nanoislands formed by growth of Ge on pit-patterned Si substrates", Journal of Crystal Growth, Vol. 323, Issue 1 (2011) pp. 198-200.
2. Zh.V. Smagina, P.L. Novikov, V.A. Zinovyev, V.A. Armbrister, S.A. Teys, A.V. Dvurechenskii, "Molecular-beam epitaxial growth of Ge/Si nanostructures under low-energy ion irradiation", Journal of Crystal Growth, Vol. 323, Issue 1 (2011) pp. 244-246.
3. P.L. Novikov, J.V. Smagina, D.Yu. Vlasov, A.S. Deryabin, A.S. Kozhukhov, A.V. Dvurechenskii, “Nucleation Of Ge 3D-islands On Pit-patterned Si Substrates”, AIP Conf. Proceedings, v. 1399 (2011) pp. 221-222.
4. P. Novikov Zh. Smagina A. Dvurechenskii, “Formation of Ge nanoislands on pit-patterned Si substrates studied by molecular dynamics simulations”, Proceedings of 19th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (Ekateringurg, Russia, June 20-25, 2011) pp. 201-202.