Работа поддержана грантом РФФИ mol_a № 18-32-00471 «Исследование собственных дефектов и автолокализованного экситона в кристаллах RbF, BaF2, BaFCl, KMgF3, методом молекулярной динамики из первых принципов»
Используя метод молекулярной динамики (МД) в сочетании с теорией функциона плотности в приближении DFT+U были исследованы такие дефекты, как автолокализованная дырка (Vk-центр) и F-центр в кристаллах SrF2 и LaF3. В кристалле фторида стронция были рассмотрены промежуточная конфигурация и возможные каналы диффузии Vk-центр по кристаллу. Для каждого возможного перехода была определена величина энергии активации, а так же показана взаимосвязь этой величины с галоген-галогенным расстоянием в ряду кристаллов CaF2, SrF2 и BaF2. Для Vk-центра в кристалле LaF3 так же были определены четыре канала диффузии дефекта: переходы из 2 конфигурации во все остальные и переход из 1 в 1 конфигурацию. Типы диффузии с наибольшей вероятностью перехода реализуются в подрешётке F1. А для F-центра была проведена оценка наиболее энергетический выгодной конфигурации и анализ смещения ближайшего окружения дефекта.