Работа поддержана грантами:
Создание новых материалов с заданными характеристиками является одной из ключевых задач современного материаловедения. Большой интерес представляют низкоразмерные гибридные материалы, которые позволяют создавать высокоэффективные устройства нового поколения. В данной работе в рамках метода теории функционала плотности были смоделированы новые наноразмерные вертикальные гетероструктуры на основе монослоёв дителлурида ванадия и графена, VTe2 / графен и VTe2 / графен / VTe2, изучены их структура и свойства. Смоделировано влияния дополнительного слоя селена, расположенного между монослоем FeSe и подложкой, на электронную структуру FeSe / SrTiO3. Показано, что графен оказывает существенное влияние на монослои VTe2. По сравнению с изолированным монослоем фрагмент T-VTe2 в T / графен демонстрирует полуметаллический ферромагнетизм с непрямой запрещённой зоной в состояниях со спином «вверх». Полученные в ходе исследования результаты показывают перспективность использования трёхслойной гетероструктуры T-VTe2 / графен / T-VTe2 в качестве магнитной туннельной структуры в новых наноустройствах спинтроники, управляемых туннельным магнитным сопротивлением или переносом спинового момента. В гетероструктуре FeSe / SrTiO3 дополнительный слой селена в присутствии вакансий кислорода локализует на себе заряд, что препятствует его переносу на монослой FeSe и, как следствие, не способствует исчезновению дырочных карманов в Г точке.