Исследованы процессы диффузии атомов As и P в InP и InAs, атомная и энергетическая структура вакансий пятой группы и междоузельных атомов P и As в InP и InAs с использованием теории функционала плотности. Определены основные типы миграционных переходов, рассчитаны наиболее энергетически выгодные миграционные траектории и энергетические барьеры миграционных переходов для диффузии As и P в InP и InAs посредством вакансий и междоузельных атомов. В случае диффузии As и P в InP и InAs через междоузельные атомы реализуется непрямой междоузельный механизм. Междоузельные атомы имеют более высокие энергии формирования по сравнению с энергиями формирования вакансий, при этом полные энергии активации диффузии сравнимы для вакансионного и междоузельного механизмов.