С помощью моделирования в рамках теории функционала плотности в программном пакете quantum ESPRESSO изучена атомная и электронная структура h-BN, SiOx, SiOxNy, HfO2:La и Hf0.5Zr0.5O2:La. Перечисленные материалы являются перспективными для использования в качестве активной среды элементов резистивной и сегнетоэлектрической памяти. Разработана структурная модель SiNx и на ей основе определены значения параметра x для исследуемых плёнок SiNx. Разработана структурная модель SiOxNy и определены барьеры для электронов Фe и дырок Фh для границы раздела Si/SiOxNy для исследуемых плёнок. Показано, что наиболее вероятным дефектом вакансионного типа в h-BN, в частности, формирующимся в результате травления плёнки ионами Ar, а также ответственным за поперечный транспорт заряда (электронов) через плёнки h-BN, является дивакансия бор-азот. Установлена, оптимальная атомная структурах HfO2, легированного La (HfO2:La), и показано, что сегнетоэлектрическая фаза HfO2 не стабилизируется в виде объёмного кристалла за счёт внешнего давления и легирования La. Показано, что электронная структура, оптические и электрофизические свойства вакансий кислорода в HfZrO:La близки к таковым для вакансии в нелегированном оксиде.