, ,

"Ab initio моделирование атомной и электронной структуры дефектов в high-k диэлектриках". Тимофей Викторович Перевалов, ИФП СО РАН, 3.12.2014

isp_espresso_201412_perevalov.pdf

Состав коллектива

Постановка задачи

Исследование электронной структуры наиболее перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью HfO2 и ZrO2: моделирование из первых принципов методами квантовой химии идеальных кристаллов, и кристаллов с кислородными вакансиями и поливакансиями различных модификаций указанных диэлектриков.

Публикации