В настоящее время на смену оксиду кремния SiO2, который является ключевым диэлектриком микроэлектроники, приходят диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью (HfO2, Al2O3, TiO2, Ta2O5). Эта тенденция вызвана тем что, традиционная кремниевая микроэлектроника приближается к пределу миниатюризации, а новые технологии требуют большей плотности упаковки элементов и более высокого быстродействия. Прежде всего, применение high-k диэлектриков открывает возможности дальнейшего наращивания информационной емкости и увеличения быстродействия Металл-Диэлектрик-Полупроводник приборов. Другое применение high-k диэлектриков связано с использованием их в качестве изолятора в запоминающем конденсаторе статических и динамических оперативных запоминающих устройств (ОЗУ). Третье применение high-k диэлектриков связано с использованием их в качестве блокирующего слоя в кремниевых флэш элементах памяти. В этой связи свойства high-k диэлектриков активно изучаются в настоящее время.